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FDN304PZ_Q
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FDN304PZ_Q 数据手册 (5 页)
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FDN304PZ_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SuperSOT
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.4A

FDN304PZ_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

FDN304PZ_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.12 MByte

FDN304 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304P  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304PZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN304P, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN304PZ, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
Freescale(飞思卡尔)
集成电路
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
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