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LF412CDR
器件3D模型
0.469
LF412CDR 数据手册 (10 页)
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LF412CDR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
4.5 mA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
0.5 W
共模抑制比
70 dB
输入补偿漂移
10.0 µV/K
带宽
3 MHz
转换速率
13.0 V/μs
增益频宽积
3 MHz
输入补偿电压
800 µV
输入偏置电流
50 pA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
增益带宽
3 MHz
耗散功率(Max)
500 mW
共模抑制比(Min)
70 dB
电源电压(Max)
36 V
电源电压(Min)
7 V

LF412CDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.5 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

LF412CDR 数据手册

TI(德州仪器)
10 页 / 0.36 MByte
TI(德州仪器)
1 页 / 0.13 MByte

LF412 数据手册

TI(德州仪器)
双路 JFET 输入运算放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF412CDR  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
Texas Instruments
TI(德州仪器)
JFET 输入运算放大器,LF347 - LF444 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF412CN  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 15 V/µs, 10V 至 36V, DIP, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF412ACN/NOPB  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 15 V/µs, 10V 至 44V, DIP, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF412CP  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, 3.5V 至 18V, DIP, 8 引脚
TI(德州仪器)
运算放大器 - 运放 Lo Offset-Drift Dual JFET Input Op Amp
National Semiconductor(美国国家半导体)
低失调,低漂移双JFET输入运算放大器 Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier
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