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FDN335N_NL
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FDN335N_NL 数据手册 (5 页)
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FDN335N_NL 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SSOT-3
漏源极电阻
70.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
500 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
1.70 A
上升时间
8.5 ns
下降时间
8.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

FDN335N_NL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.12 mm

FDN335N_NL 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.07 MByte

FDN335 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN335N  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN335N, 1.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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