￥ 0.116

FDN338P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN338P, 1.6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDN338P 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDN338P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.13 Ω

功耗

500 mW

阈值电压

800 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

11 ns

正向电压(Max)

1.2 V

输入电容值(Ciss)

451pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

460 mW

下降时间

6.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

查看数据手册 >

FDN338P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.92 mm

宽度

1.4 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

FDN338P 符合标准

FDN338P 概述

FDN338P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.31 MByte

FDN338P 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.31 MByte

FDN338P 产品描述及参数

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.26 MByte

FDN338P 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.6 MByte

FDN338 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FDN338P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN338P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -800 mV

FDN338P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN338P, 1.6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装

FDN338P 数据手册

UMW

P沟道 20V 1.6A

FDN338P_NL 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FDN338P 数据手册

Freescale（飞思卡尔）

集成电路

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号