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FDN359BN
0.162
FDN359BN 数据手册 (8 页)
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FDN359BN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.026 Ω
功耗
0.5 W
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
650pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
下降时间
2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

FDN359BN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.4 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDN359BN 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.6 MByte

FDN359 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN359AN...  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 2.7A, SSOT
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN359BN, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN359AN, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN359BN_F095  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN359BN"F095  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.026Ω, 2.7A, SUPERSOT-3
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