￥ 3.394

FDP036N10A 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP036N10A, 214 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDP036N10A 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

FDP036N10A 数据手册 (9 页)

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FDP036N10A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

333 W

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

54 ns

输入电容值(Ciss)

5485pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

227 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

333 W

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FDP036N10A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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FDP036N10A 符合标准

FDP036N10A 概述

FDP036N10A 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.55 MByte

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