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STL23NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerFlat-4

描述:

STMICROELECTRONICS STL23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STL23NM60ND 数据手册 (11 页)

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STL23NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

PowerFlat-4

通道数

1 Channel

针脚数

5 Position

漏源极电阻

0.15 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

45 ns

输入电容值(Ciss)

2050pF @50V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3W (Ta), 150W (Tc)

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STL23NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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STL23NM60ND 符合标准

STL23NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

11 页 / 0.45 MByte

STL23NM60ND 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 1.05 MByte

STL23NM60ND 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 1.12 MByte

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