￥ 1.408

FDP100N10 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP100N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.0082 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDP100N10 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDP100N10 数据手册 (8 页)

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FDP100N10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0082 Ω

极性

N-Channel

功耗

208 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

75A

上升时间

265 ns

输入电容值(Ciss)

7300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

208 W

下降时间

115 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

208W (Tc)

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FDP100N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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FDP100N10 符合标准

FDP100N10 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.59 MByte

FDP100N10 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.7 MByte

FDP100N10 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.09 MByte

FDP100 数据手册

FDP100N10 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP100N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.0082 ohm, 10 V, 2.5 V

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