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FDP12N50NZ
2.237
FDP12N50NZ 数据手册 (10 页)
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FDP12N50NZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
170 W
漏源极电压(Vds)
500 V
上升时间
50 ns
输入电容值(Ciss)
945pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
170 W
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
170 W

FDP12N50NZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.36 mm
宽度
4.9 mm
高度
16.07 mm

FDP12N50NZ 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.82 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.98 MByte

FDP12N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET 500V , 11.5A , 0.65ヘ N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
ON Semiconductor(安森美)
FDP12N50 系列 500 V 650 mOhm 法兰安装 N 沟道 Mosfet - TO-220-3
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP12N50NZ, 11.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
Fairchild(飞兆/仙童)
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET 500V , 11.5A , 0.7ヘ N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.7ヘ
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET 500V , 11.5A , 0.65Î © N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65Ω
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