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FDP20N50
1.376
FDP20N50 数据手册 (10 页)
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FDP20N50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
230 mΩ
极性
N-Channel
功耗
250 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
375 ns
输入电容值(Ciss)
3120pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
250 W
下降时间
105 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250W (Tc)

FDP20N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDP20N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.64 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 2.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.5 MByte

FDP20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP20N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
FDP20N50 系列 500 V 0.23 Ohm 法兰安装 N 沟道 Mosfet - TO-220-3
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道的PowerTrench ? MOSFET 60V , 45A ,20M ? N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m???
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP20N50F  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
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