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FDP20N50F
1.496
FDP20N50F 数据手册 (20 页)
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FDP20N50F 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.22 Ω
极性
N-Channel
功耗
250 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
120 ns
输入电容值(Ciss)
3390pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
250 W
下降时间
60 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250W (Tc)

FDP20N50F 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDP20N50F 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 0.89 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.46 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.55 MByte

FDP20N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP20N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
FDP20N50 系列 500 V 0.23 Ohm 法兰安装 N 沟道 Mosfet - TO-220-3
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP20N50F  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
Freescale(飞思卡尔)
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