FDP26N40 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP2614  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 200 V, 0.0229 ohm, 10 V, 4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP26N40  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 400 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V

ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP26N40, 26 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220封装

PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET