￥ 0.623

FDP33N25 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP33N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDP33N25 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDP33N25 数据手册 (8 页)

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FDP33N25 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.094 Ω

功耗

235 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

250 V

上升时间

230 ns

输入电容值(Ciss)

1640pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

235 W

下降时间

120 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

235 W

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FDP33N25 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDP33N25 符合标准

FDP33N25 概述

FDP33N25 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.36 MByte

FDP33N25 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

18 页 / 1.07 MByte

FDP33N25 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.09 MByte

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