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FDP3651U 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FDP3651U 系列 100 V 18 mOhm N 沟道 PowerTrench® Mosfet - TO-220AB-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDP3651U 数据手册 (7 页)

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FDP3651U 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.018 Ω

功耗

255 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

5522pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

255 W

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

255000 mW

FDP3651U 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃

FDP3651U 符合标准

FDP3651U 概述

FDP3651U 数据手册

FDP3651U 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.58 MByte

FDP3651U 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.09 MByte

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