￥ 1.292

FDP52N20 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP52N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 41 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDP52N20 数据手册 (20 页)

封装尺寸在1 页 2 页 3 页 4 页 5 页 6 页 7 页 8 页 9 页 10 页 11 页 12 页 13 页

FDP52N20 数据手册 (20 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDP52N20 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

52.0 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

41 mΩ

极性

N-Channel

功耗

357 W

阈值电压

5 V

输入电容

2.90 nF

栅电荷

63.0 nC

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

52.0 A

上升时间

175 ns

输入电容值(Ciss)

2900pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

357 W

下降时间

29 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

357W (Tc)

查看数据手册 >

FDP52N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.1 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FDP52N20 符合标准

FDP52N20 海关信息

FDP52N20 概述