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FDP61N20 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP61N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 200 V, 0.034 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDP61N20 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDP61N20 数据手册 (8 页)

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FDP61N20 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

61.0 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.034 Ω

极性

N-Channel

功耗

417 W

阈值电压

5 V

输入电容

3.38 nF

栅电荷

75.0 nC

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.10 A

上升时间

215 ns

输入电容值(Ciss)

3380pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

417 W

下降时间

170 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

417W (Tc)

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FDP61N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDP61N20 符合标准

FDP61N20 海关信息