￥ 23.83

IXFB52N90P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-264-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFB52N90P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 52 A, 900 V, 160 mohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFB52N90P 数据手册 (5 页)

封装尺寸在2 页 4 页

IXFB52N90P 数据手册 (5 页)

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IXFB52N90P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

160 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.25 kW

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

900 V

漏源击穿电压

900 V

连续漏极电流(Ids)

52A

上升时间

80 ns

输入电容值(Ciss)

19000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1250 W

下降时间

42 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1250W (Tc)

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IXFB52N90P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

20.29 mm

宽度

5.31 mm

高度

26.59 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFB52N90P 符合标准