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IXFB52N90P
23.83
IXFB52N90P 数据手册 (5 页)
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IXFB52N90P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-264-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
160 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.25 kW
阈值电压
3.5 V
漏源极电压(Vds)
900 V
漏源击穿电压
900 V
连续漏极电流(Ids)
52A
上升时间
80 ns
输入电容值(Ciss)
19000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1250 W
下降时间
42 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1250W (Tc)

IXFB52N90P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
20.29 mm
宽度
5.31 mm
高度
26.59 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFB52N90P 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.11 MByte
IXYS Semiconductor
16 页 / 0.13 MByte

IXFB52N90 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFB52N90P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 52 A, 900 V, 160 mohm, 10 V, 3.5 V
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