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FDP7030BL
0.486
FDP7030BL 数据手册 (5 页)
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FDP7030BL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
60.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
9 mΩ
极性
N-Channel
功耗
65 W
阈值电压
1.9 V
输入电容
1.76 nF
栅电荷
17.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
60.0 A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
1760pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
60 W
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
60W (Tc)

FDP7030BL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃ (TJ)

FDP7030BL 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.55 MByte

FDP7030 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP7030BL  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N通道PowerTrench㈢SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench㈢SyncFET⑩
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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