BFQ67 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 8Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN 8 GHz wideband transistor FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS Satellite TV tuners and RF portable communications equipment up to2 GHz. 描述与应用| NPN8 GHz的宽带晶体管 特点 •高功率增益 •低噪声系数 •高转换频率 •黄金金属确保卓越的可靠性。 应用 卫星电视调谐器和高达TO2 GHz的RF便携式通信设备。