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FDP75N08A
0.952
FDP75N08A 数据手册 (8 页)
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FDP75N08A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
75.0 V
额定电流
75.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
11 mΩ
极性
N-Channel
功耗
137 W
阈值电压
4 V
输入电容
4.47 nF
栅电荷
104 nC
漏源极电压(Vds)
75 V
漏源击穿电压
75 V
连续漏极电流(Ids)
75.0 A
上升时间
212 ns
输入电容值(Ciss)
4468pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
137 W
下降时间
147 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
137W (Tc)

FDP75N08A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDP75N08A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.07 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 2.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.48 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.23 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDP75N08 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
75V N沟道MOSFET 75V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP75N08A  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 75 V, 11 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP75N08A, 75 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
Freescale(飞思卡尔)
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