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IPN60R3K4CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223-3

描述:

600V,2.6A,3.4Ω,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPN60R3K4CE 数据手册 (13 页)

IPN60R3K4CE 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

SOT-223-3

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

93pF @100V(Vds)

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

5000 mW

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IPN60R3K4CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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IPN60R3K4CE 符合标准

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