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FDPF15N65
1.682
FDPF15N65 数据手册 (8 页)
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FDPF15N65 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.36 Ω
功耗
38.5 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
650 V
上升时间
125 ns
输入电容值(Ciss)
2380pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
38.5 W
下降时间
65 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
38.5 W

FDPF15N65 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.16 mm
宽度
4.7 mm
高度
15.87 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDPF15N65 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.37 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.27 MByte

FDPF15 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF15N65  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.36 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF15N65, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET UniFETTM 650 V, 15 A , 440英里???? N-Channel UniFETTM MOSFET 650 V, 15 A, 440 m
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET 400V , 15A , 0.3Ω N-Channel MOSFET 400V, 15A, 0.3Ω
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