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ZXTP2012GTA
0.202
ZXTP2012GTA 数据手册 (6 页)
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ZXTP2012GTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
120 MHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-5.50 A
封装
TO-261-4
额定功率
3 W
针脚数
4 Position
极性
PNP
功耗
1.6 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
5.5A
最小电流放大倍数
100 @2A, 1V
额定功率(Max)
3 W
直流电流增益(hFE)
250
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW

ZXTP2012GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

ZXTP2012GTA 数据手册

Diodes(美台)
6 页 / 0.11 MByte
Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.43 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.18 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.16 MByte

ZXTP2012 数据手册

Diodes(美台)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Diodes(美台)
三极管
Diodes Zetex(捷特科)
PNP 晶体管,超过 1.5A,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Diodes(美台)
三极管(BJT) ZXTP2012ZQTA SOT-89-4
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
PNP 晶体管,超过 1.5A,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
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