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FDPF17N60NT
1.63
FDPF17N60NT 数据手册 (9 页)
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FDPF17N60NT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.29 Ω
极性
N-Channel
功耗
62.5 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
17A
上升时间
79 ns
输入电容值(Ciss)
3040pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
62.5 W
下降时间
62 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
62.5W (Tc)

FDPF17N60NT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.36 mm
宽度
4.9 mm
高度
16.07 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDPF17N60NT 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.63 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.67 MByte

FDPF17N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF17N60NT  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.29 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF17N60NT, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
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