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HUF75332P3
0.691
HUF75332P3 数据手册 (10 页)
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HUF75332P3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
60.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
145 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
0.016 Ω
极性
N-Channel
功耗
145 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
60.0 A
上升时间
90 ns
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
145 W
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
145W (Tc)

HUF75332P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

HUF75332P3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.74 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.81 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

HUF75332 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
60A , 55V , 0.019 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道UltraFET功率MOSFET N-Channel UltraFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 55V 60A
Freescale(飞思卡尔)
Intersil(英特矽尔)
60A , 55V , 0.019 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
Intersil(英特矽尔)
60A , 55V , 0.019 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
60A , 55V , 0.019 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
60A , 55V , 0.019 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
60A , 55V , 0.019 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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