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FDPF51N25
1.791
FDPF51N25 数据手册 (10 页)
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FDPF51N25 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
250 V
额定电流
28.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
38 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
60 mΩ
极性
N-Channel
功耗
117 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
250 V
漏源击穿电压
250 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
51.0 A
上升时间
465 ns
输入电容值(Ciss)
3410pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
38 W
下降时间
130 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
38W (Tc)

FDPF51N25 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.36 mm
宽度
4.9 mm
高度
16.07 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDPF51N25 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 1.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 1.21 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.45 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDPF51 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF51N25  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 250 V, 60 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 250V 51A
Fairchild(飞兆/仙童)
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