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器件3D模型
¥ 0.091
2SB649 数据手册 - CJ(长电科技)
制造商:
CJ(长电科技)
封装:
TO-126
描述:
2SB649 袋装
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
2SB649 数据手册 (4 页)
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2SB649 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-126
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
120 V
集电极最大允许电流
1500mA
最小电流放大倍数
60
最大电流放大倍数
320
查看数据手册 >
2SB649 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
最小包装数量
60
查看数据手册 >
2SB649 数据手册
2SB649
数据手册
CJ(长电科技)
4 页 / 0.15 MByte
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STM32F103
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