FDS4559

器件3D模型

￥ 0.405

FDS4559 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4559 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 60 V, 55 mohm, 10 V, 2.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDS4559 数据手册 (8 页)

FDS4559 数据手册 (8 页)

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FDS4559 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电流

4.50 A

封装

SOIC-8

额定功率

2 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.042 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

2 W

阈值电压

2.2 V

输入电容

759 pF

栅电荷

15.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

±60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.50 A

上升时间

10.0 ns

输入电容值(Ciss)

650pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

查看数据手册 >

FDS4559 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FDS4559 符合标准

FDS4559 海关信息

FDS4559 数据手册

FDS4559 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.17 MByte

FDS4559 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.42 MByte

FDS4559 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.14 MByte

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