FDS4935BZ 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

双路30V P沟道PowerTrench MOSFET Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4935BZ.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4935A  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -7 A, -30 V, 23 mohm, -10 V, -1.6 V

FDS4935BZ 系列 30 V 22 mOhm 双 30 V P 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8

PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。