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Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDS6673BZ_F085 Datasheet 文档
FDS6673BZ_F085
器件3D模型
0.589
FDS6673BZ_F085 数据手册 (7 页)
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FDS6673BZ_F085 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
通道数
1 Channel
极性
P-CH
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
14.5A
输入电容值(Ciss)
4700pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

FDS6673BZ_F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS6673BZ_F085 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.53 MByte

FDS6673 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6673BZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -14.5 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
FDS6673BZ 系列 P 沟道 30 V 7.8 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Fairchild(飞兆/仙童)
30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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