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FDS6692A
器件3D模型
0.376
FDS6692A 数据手册 (7 页)
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FDS6692A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0082 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.47 W
阈值电压
1.2 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
9.00 A
上升时间
32 ns
输入电容值(Ciss)
1610pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.47 W
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.47W (Ta)

FDS6692A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.575 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS6692A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.44 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.47 MByte

FDS6692 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6692A, 9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET PowerTrench® 30V , 9A , 11.5mÎ © N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 9A, 11.5mΩ
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