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IPA60R180P7
4.217

IPA60R180P7 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
功耗
26 W
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
1081pF @400V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
26000 mW

IPA60R180P7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPA60R180P7 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 1.13 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.89 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPA60R180 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.155 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPA60R180P7S TO-220
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 18A
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPA60R180C7 TO-220FP-3
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