器件3D模型

￥ 0.228

FDS6930B 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

FDS6930B 系列 30 V 38 mOhm 双 N 沟道逻辑电平 PowerTrench Mosfet - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDS6930B 数据手册 (5 页)

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FDS6930B 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.031 Ω

功耗

2 W

阈值电压

1.9 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

412pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

900 mW

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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FDS6930B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDS6930B 符合标准

FDS6930B 概述

FDS6930B 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.19 MByte

FDS6930B 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.84 MByte

FDS6930B 产品修订记录

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5 页 / 0.58 MByte

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