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Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDS8984_F085 Datasheet 文档
FDS8984_F085
器件3D模型
0.965
FDS8984_F085 数据手册 (6 页)
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FDS8984_F085 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
极性
N-CH
功耗
1.6 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
7A
输入电容值(Ciss)
635pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.6 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.6 W

FDS8984_F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.575 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS8984_F085 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.41 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.43 MByte

FDS8984 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8984  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS8984, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
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