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FDS9431A
器件3D模型
0.705
FDS9431A 数据手册 (5 页)
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FDS9431A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
130 mΩ
功耗
2.5 W
阈值电压
600 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
405pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
21 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5 W

FDS9431A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDS9431A 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.32 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.84 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.71 MByte

FDS9431 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道2.5V指定MOSFET P-Channel 2.5V Specified MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9431A  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -600 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDS9431A, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild(飞兆/仙童)
P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道 20V 3.5A
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道2.5V指定MOSFET P-Channel 2.5V Specified MOSFET
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