￥ 0.44

FDT459N 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDT459N 数据手册 (5 页)

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FDT459N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

6.50 A

封装

TO-261-4

漏源极电阻

0.031 Ω

极性

N-Channel

功耗

3 W

阈值电压

1.6 V

输入电容

365 pF

栅电荷

12.0 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.50 A

上升时间

8.2 ns

输入电容值(Ciss)

365pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3W (Ta)

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FDT459N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDT459N 符合标准

FDT459N 海关信息