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STP141NF55
0.41
STP141NF55 数据手册 (15 页)
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STP141NF55 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
300 W
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
80A
上升时间
150 ns
输入电容值(Ciss)
5300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

STP141NF55 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP141NF55 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.34 MByte

STP141 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO- 220的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET
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