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FDV302P_Q
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FDV302P_Q 数据手册 (5 页)
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FDV302P_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-23-3
极性
P-CH
功耗
350 mW
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
0.12A
上升时间
8 ns
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

FDV302P_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.2 mm

FDV302P_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.06 MByte

FDV302 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
数字场效应晶体管, P沟道 Digital FET, P-Channel
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV302P  晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -25 V, 7.9 ohm, -4.5 V, -1 V
ON Semiconductor(安森美)
FD V302P 系列 P沟道 25 V 13 Ohm 表面贴装 数字 FET - SOT-23-3
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
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