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FF300R12KT3 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
IGBT晶体管
封装:
AG-62MM-1
描述:
快速沟/场终止IGBT3和EMCON高效二极管62毫米C系列模块 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FF300R12KT3数据手册
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62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undEmitterControlledHighEfficiencyDiode
62mmC-seriesmodulewithfasttrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF300R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:MK
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-03
revision:3.0
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
T
vj
= 25°C V
CES
1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
T
C
= 80°C, T
vj max
= 150°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150°C
I
C nom
I
C
300
480
A
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
t
P
= 1 ms I
CRM
600 A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150 P
tot
1450 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
V
GES
+/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
I
C
= 300 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 300 A, V
GE
= 15 V
V
CE sat
1,70
1,90
2,15
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
I
C
= 12,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C V
GEth
5,0 5,8 6,5 V
Gateladung
Gatecharge
V
GE
= -15 V ... +15 V Q
G
2,80 µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
T
vj
= 25°C R
Gint
2,5 Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V C
ies
21,0 nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V C
res
0,85 nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C I
CES
5,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C I
GES
400 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
I
C
= 300 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,4 Ω
t
d on
0,16
0,17
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
I
C
= 300 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,4 Ω
t
r
0,04
0,045
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
I
C
= 300 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,4 Ω
t
d off
0,45
0,52
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
I
C
= 300 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,4 Ω
t
f
0,10
0,16
µs
µs
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
I
C
= 300 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 6000 A/µs
R
Gon
= 2,4 Ω
E
on
16,5
25,0
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
I
C
= 300 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 4500 V/µs
R
Goff
= 2,4 Ω
E
off
24,5
37,0
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Kurzschlußverhalten
SCdata
V
GE
≤ 15 V, V
CC
= 900 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
1200
A
T
vj
= 125°C
t
P
≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT R
thJC
0,085 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proIGBT/perIGBT
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
0,03 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40 125 °C
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