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Datasheet 搜索 > Infineon(英飞凌) > FF450R17ME4B11BOSA1 Datasheet 文档
FF450R17ME4B11BOSA1
230.092

FF450R17ME4B11BOSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
AG-ECONOD-4
功耗
2.5 kW
击穿电压(集电极-发射极)
1700 V
输入电容值(Cies)
36nF @25V
额定功率(Max)
2500 W
工作温度(Max)
150 ℃

FF450R17ME4B11BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 150℃

FF450R17ME4B11BOSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.66 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 5.44 MByte

FF450R17ME4B11 数据手册

Infineon(英飞凌)
EconoDUAL3模块海沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管HE和压接/ NTC EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTC
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 600 A, 1.95 V, 2.5 kW, 1.7 kV, Module
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