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FQT5P10TF
0.27
FQT5P10TF 数据手册 (8 页)
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FQT5P10TF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-1.00 A
封装
SOT-223-4
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
820 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2 W
输入电容
250 pF
栅电荷
8.20 nC
漏源极电压(Vds)
100 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
-1.00 A, 1.00 mA
上升时间
70 ns
输入电容值(Ciss)
250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Tc)

FQT5P10TF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.56 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQT5P10TF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
17 页 / 1.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FQT5P10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
QFET® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT5P10TF.  场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 1A SOT-223
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