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FGAF40N60UFDTU
1.688
FGAF40N60UFDTU 数据手册 (8 页)
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FGAF40N60UFDTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
40.0 A
封装
TO-3-3
功耗
100 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
95 ns
额定功率(Max)
100 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
100 W

FGAF40N60UFDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
15.5 mm
宽度
5.5 mm
高度
16.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FGAF40N60UFDTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.57 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.67 MByte

FGAF40N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGAF40N60UFTU  单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 600 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FGAF40N60SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3PF封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FGAF40N60UFTU N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PF封装
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT 分立,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
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