FGH20N60SFD

￥ 6.193

FGH20N60SFD 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

封装:

TO-47

描述:

600V ， 20A场截止IGBT 600V, 20A Field Stop IGBT

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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封装尺寸在P9P10

标记信息在P1

封装信息在P1

技术参数、封装参数在P3

应用领域在P1P12

电气规格在P4P5P6P7

2

3 技术参数、封装参数

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FGH20N60SFD数据手册

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May 2006 Rev 3 1/12

12

STE110NS20FD

N-channel 200V - 0.022Ω - 110A - ISOTOP

MESH OVERLAY™ Power MOSFET

General features

■ Extremely high dv/dt capability

■ 100% avalanche tested

■ Gate charge minimized

■ ± 20V gate to source voltage rating

■ Low intrinsic capacitance

■ Fast body-drain diode:low trr, Qrr

Description

Using the latest high voltage MESH OVERLAY™

process, STMicroelectronics has designed an

advanced family of Power MOSFETs with

outstanding performances. The new patented

STrip layout coupled with the Company’s

proprietary edge termination structure, gives the

lowest R

DS(ON)

per area, exceptional avalanche

and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge

and switching characteristics.

Applications

■ Switching application

Internal schematic diagram

Type V

DSS

R

DS(on)

I

D

STE110NS20FD 200V <0.024Ω 110A

ISOTOP

www.st.com

Order codes

Part number Marking Package Packaging

STE110NS20FD E110NS20FD ISOTOP Tube

Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s)

1
2
3
4
5
•••
12

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