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FGH50T65UPD 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

ON Semiconductor FGH50T65UPD N沟道 IGBT, 100 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FGH50T65UPD 数据手册 (9 页)

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FGH50T65UPD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

340000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

650 V

反向恢复时间

53 ns

额定功率(Max)

340 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

340 W

FGH50T65UPD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.87 mm

宽度

4.82 mm

高度

20.82 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FGH50T65UPD 符合标准

FGH50T65UPD 海关信息

FGH50T65UPD 概述

FGH50T65UPD 数据手册

FGH50T65UPD 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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