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FGH75N60UFTU
2.156
FGH75N60UFTU 数据手册 (8 页)
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FGH75N60UFTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
功耗
452 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
452 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
452000 mW

FGH75N60UFTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FGH75N60UFTU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.62 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.44 MByte

FGH75N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH75N60UFTU  单晶体管, IGBT, 通用, 150 A, 600 V, 452 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
600V , 75A场截止IGBT 600V, 75A Field Stop IGBT
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 通用, 150 A, 600 V, 452 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
600V , 75A场截止IGBT 600V, 75A Field Stop IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
600V , 75A场截止IGBT 600V, 75A Field Stop IGBT
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