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VNP35NV04-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS VNP35NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 55 V, 13 mohm, 5 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VNP35NV04-E 数据手册 (19 页)

原理图在1 页

VNP35NV04-E 数据手册 (19 页)

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VNP35NV04-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

输出接口数

1 Output

输出电流

60 A

供电电流

0.1 mA

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.013 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

40.0 V

连续漏极电流(Ids)

15.0 A

输出电流(Max)

30 A

输入数

1 Input

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

125000 mW

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VNP35NV04-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VNP35NV04-E 符合标准

VNP35NV04-E 海关信息

VNP35NV04-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.29 MByte

VNP35NV04-E 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

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