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FGH80N60FD2TU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

ON Semiconductor FGH80N60FD2TU N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FGH80N60FD2TU 数据手册 (14 页)

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FGH80N60FD2TU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

290000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

61 ns

额定功率(Max)

290 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

290000 mW

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FGH80N60FD2TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.6 mm

宽度

4.7 mm

高度

20.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FGH80N60FD2TU 符合标准

FGH80N60FD2TU 海关信息

FGH80N60FD2TU 概述

FGH80N60FD2TU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

14 页 / 0.28 MByte

FGH80N60FD2TU 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.57 MByte

FGH80N60FD2TU 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

18 页 / 3.05 MByte

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