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LM5109BSD/NOPB
0.565
LM5109BSD/NOPB 数据手册 (24 页)
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LM5109BSD/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
8.00V (min)
封装
WDFN-8
上升/下降时间
15 ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
静态电流
200 µA
上升时间
15 ns
下降时间
15 ns
下降时间(Max)
15 ns
上升时间(Max)
15 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
8V ~ 14V
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
8 V

LM5109BSD/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
4 mm
宽度
4 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

LM5109BSD/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
24 页 / 1.35 MByte
TI(德州仪器)
31 页 / 0.79 MByte
TI(德州仪器)
32 页 / 1.58 MByte
TI(德州仪器)
19 页 / 0.44 MByte
TI(德州仪器)
27 页 / 1.02 MByte

LM5109 数据手册

National Semiconductor(美国国家半导体)
100V / 1A峰值半桥栅极驱动器 100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver
TI(德州仪器)
TI(德州仪器)
LM5109BMAX /NOPB 编带
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5109BSD/NOPB  驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 32ns延迟, WSON-8
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5109ASD/NOPB  驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 30ns延迟, WSON-8
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5109AMA/NOPB  驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 30ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
高电压 1A 峰值半桥接闸极驱动器
TI(德州仪器)
具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器 8-WSON -40 to 125
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5109BMA  双路驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 27ns延迟, SOIC-8
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