Web Analytics
Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FGL40N120ANTU Datasheet 文档
FGL40N120ANTU
8.92
FGL40N120ANTU 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FGL40N120ANTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-264-3
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
500 W
上升时间
20 ns
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
额定功率(Max)
500 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500000 mW

FGL40N120ANTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Bulk
长度
20 mm
宽度
5 mm
高度
26 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FGL40N120ANTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.51 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.93 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.47 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

FGL40N120 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor(安森美)
分离式 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 64 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-264, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGL40N120ANTU  单晶体管, IGBT, 64 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-264, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z