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FGL60N100BNTD 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-264-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTD 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FGL60N100BNTD 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

FGL60N100BNTD 数据手册 (7 页)

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FGL60N100BNTD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.00 kV

额定电流

60.0 A

封装

TO-264-3

额定功率

180 W

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

180 W

上升时间

320 ns

击穿电压(集电极-发射极)

1000 V

反向恢复时间

1.2 µs

额定功率(Max)

180 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

180000 mW

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FGL60N100BNTD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

长度

20 mm

宽度

5 mm

高度

26 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FGL60N100BNTD 符合标准

FGL60N100BNTD 海关信息

FGL60N100BNTD 概述

FGL60N100BNTD 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.37 MByte

FGL60N100BNTD 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.49 MByte

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IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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Vces=1000V，Ic=60A,Vce(sat)=2.5V 此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

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